FDG6322C

FDG6322C ON Semiconductor


fdg6322c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDG6322C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 300mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 300mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції FDG6322C за ціною від 8.04 грн до 37.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDG6322C FDG6322C Виробник : onsemi fdg6322c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.82 грн
6000+ 8.98 грн
9000+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6322C FDG6322C Виробник : ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.85 грн
6000+ 11.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6322C FDG6322C Виробник : ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12 грн
6000+ 11.28 грн
9000+ 11.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
FDG6322C FDG6322C Виробник : ONSEMI 2298613.pdf Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+18.18 грн
500+ 13.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDG6322C FDG6322C Виробник : onsemi fdg6322c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 410mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.5pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-88 (SC-70-6)
Part Status: Active
на замовлення 31812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.22 грн
12+ 23.95 грн
100+ 16.67 грн
500+ 12.22 грн
1000+ 9.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDG6322C FDG6322C Виробник : ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+29.44 грн
23+ 25.43 грн
25+ 25.21 грн
100+ 18.78 грн
250+ 17.24 грн
500+ 13.21 грн
1000+ 10.34 грн
3000+ 9.96 грн
Мінімальне замовлення: 20
FDG6322C FDG6322C Виробник : ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 3342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
385+30.39 грн
508+ 22.98 грн
514+ 22.74 грн
643+ 17.51 грн
1000+ 12.59 грн
3000+ 10.93 грн
Мінімальне замовлення: 385
FDG6322C FDG6322C Виробник : ONSEMI FDG6322C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.4/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.22/0.41A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
On-state resistance: 7/1.9Ω
Gate-source voltage: ±8/±8V
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+31.34 грн
25+ 17.16 грн
64+ 12.04 грн
176+ 11.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDG6322C FDG6322C Виробник : onsemi / Fairchild FDG6322C_D-2312203.pdf MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH
на замовлення 90432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.44 грн
12+ 25.99 грн
100+ 16.21 грн
500+ 12.65 грн
1000+ 10.21 грн
3000+ 8.63 грн
9000+ 8.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
FDG6322C FDG6322C Виробник : ONSEMI 2298613.pdf Description: ONSEMI - FDG6322C - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 25 V, 25 V, 220 mA, 220 mA, 2.6 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 300mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 300mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+33.11 грн
29+ 26.09 грн
100+ 18.18 грн
500+ 13.18 грн
Мінімальне замовлення: 23
FDG6322C FDG6322C Виробник : ONSEMI FDG6322C.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 25/-25V
Case: SC70-6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.3W
Gate charge: 0.4/1.5nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 0.22/0.41A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 25/-25V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
On-state resistance: 7/1.9Ω
Gate-source voltage: ±8/±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.61 грн
25+ 21.38 грн
64+ 14.45 грн
176+ 13.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDG6322C fdg6322c-d.pdf
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDG6322C FDG6322C Виробник : ON Semiconductor fdg6322c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.22A/0.41A 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній