FDP8870 ON Semiconductor
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 93.35 грн |
10+ | 90.81 грн |
25+ | 86.59 грн |
50+ | 80.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDP8870 ON Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDP8870 за ціною від 64.53 грн до 104.8 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDP8870 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDP8870 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDP8870 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDP8870 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDP8870 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDP8870 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDP8870 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 147A; 160W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 160W Polarisation: unipolar Drain current: 147A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 30V Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 6.5mΩ Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |