FDP8870

FDP8870 ON Semiconductor


fdp8870jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 75 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+93.35 грн
10+ 90.81 грн
25+ 86.59 грн
50+ 80.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDP8870 ON Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V.

Інші пропозиції FDP8870 за ціною від 64.53 грн до 104.8 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDP8870 FDP8870 Виробник : ON Semiconductor fdp8870jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+104.8 грн
10+ 96.24 грн
25+ 89.65 грн
50+ 82.48 грн
100+ 71.81 грн
500+ 64.53 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDP8870 FDP8870 Виробник : ON Semiconductor fdp8870jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDP8870 FDP8870 Виробник : ON Semiconductor fdp8870jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FDP8870 FDP8870 Виробник : onsemi FAIRS26360-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 156A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товар відсутній
FDP8870 FDP8870 Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS26360-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товар відсутній
FDP8870 FDP8870 Виробник : onsemi / Fairchild FDP8870_D-1808196.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
товар відсутній
FDP8870 FDP8870 Виробник : ONSEMI FAIRS26360-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 147A; 160W; TO220AB
Mounting: THT
Power dissipation: 160W
Polarisation: unipolar
Drain current: 147A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній