FDS4470 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V
на замовлення 193682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
329+ | 59.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS4470 Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): +30V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2659 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDS4470 за ціною від 50.21 грн до 159.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS4470 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4470 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4470 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 194011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4470 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 1473 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4470 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4470 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12.5 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 12.5 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9 Verlustleistung: 2.5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 6314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4470 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4470 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 12.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4470 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 12.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 12.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 737 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDS4470 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDS4470 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |