FDS4935A Fairchild
Код товару: 40550
Виробник: FairchildКорпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 7 А
Rds(on),Om: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1233/15
Монтаж: SMD
у наявності 80 шт:
25 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ
11 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
24 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 28 грн |
10+ | 25.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FDS4935A за ціною від 22.2 грн до 85.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS4935A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: -888 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -888A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -888V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: -888 Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -888ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: -888W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 11674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1233pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 25791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET -30V Dual |
на замовлення 5045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS4935A - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 7 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: -W Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 11664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; 1.6W; SO8 Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -7A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: PowerTrench® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2464 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ON-Semicoductor |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 7A; 2W; -55°C ~ 175°C; FDS4935A TFDS4935a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDS4935A | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
З цим товаром купують
FDS9435A Код товару: 36583 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 528/10
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 5,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 528/10
Монтаж: SMD
у наявності: 117 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 25 грн |
10+ | 22.5 грн |
3,3 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC03K4332JT-KOME) (резистор SMD) Код товару: 4683 |
Виробник: KOME
SMD резистори > 0603
Номінал: 3,3 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 3,3 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 253034 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.1 грн |
1000+ | 0.06 грн |
10000+ | 0.04 грн |
10 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-10KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4671 |
Виробник: Yageo
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
очікується:
50000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.1 грн |
1000+ | 0.06 грн |
10000+ | 0.04 грн |
100 kOhm 5% 0,1W 50V 0603 (RC0603JR-100KR-Hitano) (резистор SMD) Код товару: 4631 |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 kOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 50 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 68105 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 0.1 грн |
1000+ | 0.06 грн |
10000+ | 0.04 грн |
IRF7316 Код товару: 3743 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 4,9 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/23
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 4,9 A
Rds(on),Om: 0,058 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/23
Монтаж: SMD
у наявності: 15 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 22.5 грн |
10+ | 19.8 грн |