FDS6812A FAIRCHILD


FDS6812A.pdf Виробник: FAIRCHILD
SO-8
на замовлення 41000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDS6812A FAIRCHILD

Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.7A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC.

Інші пропозиції FDS6812A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDS6812A Виробник : FAIRCHILD FDS6812A.pdf 07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS6812A FDS6812A Виробник : ON Semiconductor 1069911255989541fds6812a.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
FDS6812A FDS6812A Виробник : onsemi FDS6812A.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній