FDS6982AS ON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 61.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDS6982AS ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FDS6982AS за ціною від 53.22 грн до 67.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDS6982AS | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
FDS6982AS | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDS6982AS - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.3 A, 0.011 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
| FDS6982as | Виробник : Fairchild |
2x N-MOSFET 6.3/8.6A 30V 2W 0.028/0.0135Ω FDS6982AS TFDS6982as кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
FDS6982AS Код товару: 148198 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||
 |
FDS6982AS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
FDS6982AS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
|
|
FDS6982AS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
|||||||
 |
FDS6982as | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO |
товар відсутній |
|||||||
|
|
FDS6982as | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO |
товар відсутній |
|||||||
 |
FDS6982as | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SO-8 N-CH 1&2 30V |
товар відсутній |