FGA30N120FTDTU

FGA30N120FTDTU ON Semiconductor


fga30n120ftd.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 339000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FGA30N120FTDTU ON Semiconductor

Description: IGBT 1200V 60A 339W TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 730 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench Field Stop, Gate Charge: 208 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 60 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A, Power - Max: 339 W.

Інші пропозиції FGA30N120FTDTU

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FGA30N120FTDTU FGA30N120FTDTU Виробник : onsemi fga30n120ftd-d.pdf Description: IGBT 1200V 60A 339W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 730 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 208 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 339 W
товар відсутній
FGA30N120FTDTU FGA30N120FTDTU Виробник : onsemi / Fairchild FGA30N120FTD_D-1808966.pdf IGBT Transistors 1200V 30A FS
товар відсутній