FGA40N65SMD onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns
Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 119 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 288.63 грн |
| 30+ | 220.23 грн |
| 120+ | 188.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA40N65SMD onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 42 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 12ns/92ns, Switching Energy: 820µJ (on), 260µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 119 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 349 W.
Інші пропозиції FGA40N65SMD за ціною від 143.92 грн до 336.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGA40N65SMD | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 650V, 40A Field Stop IGBT |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGA40N65SMD | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA40N65SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 650 V, TO-3PN, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 349W Bauform - Transistor: TO-3PN Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FGA40N65SMD (TO-3P, ON) IGBT N-ch 650V 80A Код товару: 112251 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
||||||||||||||
 |
FGA40N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FGA40N65SMD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
| FGA40N65SMD | Виробник : TE Connectivity |
TE Connectivity |
товар відсутній |