FJL6920TU onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS NPN 800V 20A TO264-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V
Supplier Device Package: TO-264-3
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 56003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 98+ | 199.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJL6920TU onsemi
Description: ONSEMI - FJL6920TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 20 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5.5hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 20A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-264, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FJL6920TU за ціною від 183.64 грн до 434.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FJL6920TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 20A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FJL6920TU | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Tripple Diff Planar |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FJL6920TU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJL6920TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 800 V, 20 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5.5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 20A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-264 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 800V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FJL6920TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 800V 20A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FJL6920TU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 20A; 200W; TO264 Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 20A Type of transistor: NPN Power dissipation: 200W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO264 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FJL6920TU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 800V 20A TO264-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2.75A, 11A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5.5 @ 11A, 5V Supplier Device Package: TO-264-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V Power - Max: 200 W |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
FJL6920TU | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 20A; 200W; TO264 Collector-emitter voltage: 800V Collector current: 20A Type of transistor: NPN Power dissipation: 200W Polarisation: bipolar Kind of package: tube Mounting: THT Case: TO264 |
товар відсутній |