FQPF19N10 onsemi
Виробник: onsemi
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V
на замовлення 2860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
489+ | 40.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF19N10 onsemi
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF19N10 за ціною від 37.33 грн до 92.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQPF19N10 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V |
на замовлення 582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQPF19N10 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQPF19N10 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 100V N-Channel QFET |
на замовлення 1880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQPF19N10 | Виробник : Fairchild |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
FQPF19N10 | Виробник : FAIRCHILD | 06+ |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQPF19N10 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FQPF19N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 54.4A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FQPF19N10 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6.8A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FQPF19N10 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.6A; Idm: 54.4A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 9.6A Pulsed drain current: 54.4A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |