FQPF3N80C ON Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 78.34 грн |
10+ | 71.19 грн |
100+ | 63.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF3N80C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF3N80C за ціною від 53.63 грн до 124.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQPF3N80C | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FQPF3N80C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FQPF3N80C | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 3 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 39 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
FQPF3N80C Код товару: 188274 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
FQPF3N80C | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
FQPF3N80C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.9A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Gate charge: 16.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
FQPF3N80C | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.9A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 4.8Ω Mounting: THT Gate charge: 16.5nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |