FQPF3N80C

FQPF3N80C ON Semiconductor


fqpf3n80cjp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+78.34 грн
10+ 71.19 грн
100+ 63.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF3N80C ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF3N80C за ціною від 53.63 грн до 124.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : onsemi / Fairchild FQPF3N80C_D-2313713.pdf MOSFET 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.51 грн
10+ 97.09 грн
100+ 68.6 грн
250+ 63.78 грн
1000+ 53.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : onsemi fqpf3n80c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.87 грн
50+ 92.85 грн
100+ 76.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ONSEMI 1847582.pdf Description: ONSEMI - FQPF3N80C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 4 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 3
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 39
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+124.31 грн
10+ 111.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf3n80cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf3n80cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQPF3N80C
Код товару: 188274
fqpf3n80c-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf3n80cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ON Semiconductor fqpf3n80cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ONSEMI FQPF3N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQPF3N80C FQPF3N80C Виробник : ONSEMI FQPF3N80C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.9A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.9A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній