FQPF6N90C ON Semiconductor
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF6N90C ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF6N90C за ціною від 88.7 грн до 88.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQPF6N90C | Виробник : ON-Semicoductor |
 N-MOSFET 6A 900V 56W 2.3Ω FQPF6N90C TFQPF6n90cкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 197 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
|
FQPF6N90C Код товару: 167479 |
Виробник : ON SEMICONDUCTOR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220F Uds,V: 900 V Idd,A: 6 A Rds(on), Ohm: 2,3 Ohm Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||
 |
FQPF6N90C | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||
 |
FQPF6N90C | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 900V 6A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
 |
FQPF6N90C | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series |
товар відсутній |