FQT7N10LTF

FQT7N10LTF ON Semiconductor


3671322269675833fqt7n10ltf-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 32 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 19
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQT7N10LTF ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQT7N10LTF за ціною від 16.03 грн до 52.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ON Semiconductor 3671322269675833fqt7n10ltf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 4000
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ONSEMI FQT7N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+43.72 грн
25+ 29.78 грн
37+ 21.66 грн
101+ 20.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : onsemi fqt7n10ltf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.92 грн
10+ 38.95 грн
100+ 26.98 грн
500+ 21.15 грн
1000+ 18 грн
2000+ 16.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : onsemi / Fairchild FQT7N10LTF_D-2313819.pdf MOSFET 100V Single
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+50.6 грн
10+ 43.31 грн
100+ 26.09 грн
500+ 21.82 грн
1000+ 18.6 грн
2000+ 16.56 грн
4000+ 16.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ONSEMI FQT7N10L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.36A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.36A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.46 грн
25+ 37.11 грн
37+ 25.99 грн
101+ 24.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQT7N10LTF Виробник : ON-Semicoductor fqt7n10ltf-d.pdf N-MOSFET 100V 1.7A FQT7N10LTF TFQT7n10ltf
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+20.98 грн
Мінімальне замовлення: 30
FQT7N10LTF FQT7N10LTF
Код товару: 106433
fqt7n10ltf-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : ON Semiconductor 3671322269675833fqt7n10ltf-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT7N10LTF FQT7N10LTF Виробник : onsemi fqt7n10ltf-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
товар відсутній