Продукція > ONSEMI > FQT7N10TF
FQT7N10TF

FQT7N10TF onsemi

fqt7n10-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+17.43 грн
8000+ 15.9 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQT7N10TF onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQT7N10TF за ціною від 15.75 грн до 46.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQT7N10TF FQT7N10TF Виробник : onsemi fqt7n10-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 11936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+46.21 грн
10+ 38.34 грн
100+ 26.51 грн
500+ 20.78 грн
1000+ 17.69 грн
2000+ 15.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQT7N10TF FQT7N10TF Виробник : onsemi / Fairchild FQT7N10_D-1809903.pdf MOSFET 100V Single
на замовлення 27261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
FQT7N10TF Виробник : FSC fqt7n10-d.pdf 09+ dip
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQT7N10TF Виробник : ON Semiconductor fqt7n10cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT7N10TF Виробник : ON Semiconductor fqt7n10cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT7N10TF FQT7N10TF Виробник : ON Semiconductor fqt7n10cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQT7N10TF FQT7N10TF Виробник : ON Semiconductor fqt7n10cn-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній