на замовлення 3458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.61 грн |
| 10+ | 64.62 грн |
| 100+ | 43.83 грн |
| 500+ | 36.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU4N50TU-WS onsemi / Fairchild
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 1.64A, Pulsed drain current: 10.4A, Power dissipation: 45W, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 2.7Ω, Mounting: THT, Gate charge: 13nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQU4N50TU-WS
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQU4N50TU_WS | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
FQU4N50TU-WS | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 2.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|
| FQU4N50TU-WS | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.64A Pulsed drain current: 10.4A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
|
|
FQU4N50TU-WS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK |
товар відсутній |
|
|
|
FQU4N50TU-WS | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK |
товар відсутній |
|
| FQU4N50TU-WS | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 1.64A; Idm: 10.4A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 1.64A Pulsed drain current: 10.4A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |