Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFR1205TRPBF
IRFR1205TRPBF

IRFR1205TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.73 грн
Мінімальне замовлення: 19
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFR1205TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.

Інші пропозиції IRFR1205TRPBF за ціною від 26.09 грн до 96.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+33.56 грн
6000+ 30.78 грн
10000+ 29.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+34.11 грн
18+ 32.2 грн
100+ 29.39 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr1205pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+65.51 грн
10+ 35.15 грн
25+ 31.09 грн
28+ 28.02 грн
77+ 26.5 грн
500+ 26.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
173+66.48 грн
187+ 61.79 грн
221+ 52.02 грн
234+ 47.39 грн
500+ 43.79 грн
1000+ 38.02 грн
2000+ 35.8 грн
Мінімальне замовлення: 173
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+77.03 грн
151+ 76.27 грн
195+ 59.15 грн
250+ 55.77 грн
500+ 32.06 грн
Мінімальне замовлення: 150
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfr1205pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 37A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.62 грн
6+ 43.8 грн
25+ 37.31 грн
28+ 33.63 грн
77+ 31.8 грн
500+ 31.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfr1205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d17792047 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 15207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.72 грн
10+ 63.94 грн
100+ 49.72 грн
500+ 39.55 грн
1000+ 32.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFR1205_DataSheet_v01_01_EN-3363235.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC
на замовлення 20078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.82 грн
10+ 71.49 грн
100+ 47.95 грн
500+ 38.15 грн
1000+ 32.96 грн
2000+ 31.21 грн
4000+ 29.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+88.77 грн
10+ 73.15 грн
100+ 56.46 грн
500+ 44.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838406-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+96.09 грн
10+ 74.25 грн
100+ 53.79 грн
500+ 42.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFR1205 Виробник : International Rectifier IRFR%2CU1205.pdf N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR1205 Виробник : International Rectifier IRFR%2CU1205.pdf N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+26.61 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfr1205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IRFR1205 IRFR1205 Виробник : Infineon Technologies IRFR%2CU1205.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товар відсутній
IRFR1205
Код товару: 150970 		IRFR%2CU1205.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній