IRFR1205TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 16.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFR1205TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V, Power Dissipation (Max): 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRFR1205TRPBF за ціною від 26.42 грн до 97.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR1205TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 69W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Power dissipation: 69W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1926 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 3927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1205TRPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 69W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 37A Power dissipation: 69W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1926 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
на замовлення 15207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 27mOhms 43.3nC |
на замовлення 20078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFR1205TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFR1205TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 44 A, 0.027 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFR1205 | Виробник : International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| IRFR1205 | Виробник : International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 44A 55V 107W 0.027Ω IRFR1205 TIRFR1205 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR1205TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFR1205 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
IRFR1205 Код товару: 150970 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|