ISL6208IRZ Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 33 V
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 8ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.5V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN
Packaging: Tube
Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 33 V
Supplier Device Package: 8-QFN (3x3)
Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 8ns
Channel Type: Synchronous
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: N-Channel MOSFET
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.5V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 146.82 грн |
10+ | 127.17 грн |
25+ | 119.99 грн |
100+ | 95.96 грн |
300+ | 90.1 грн |
500+ | 78.84 грн |
1000+ | 64.25 грн |
2500+ | 59.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ISL6208IRZ Renesas Electronics Corporation
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8QFN, Packaging: Tube, Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ), Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V, Input Type: Non-Inverting, High Side Voltage - Max (Bootstrap): 33 V, Supplier Device Package: 8-QFN (3x3), Rise / Fall Time (Typ): 8ns, 8ns, Channel Type: Synchronous, Driven Configuration: Half-Bridge, Number of Drivers: 2, Gate Type: N-Channel MOSFET, Logic Voltage - VIL, VIH: 0.5V, 2V, Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A, Part Status: Active, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції ISL6208IRZ за ціною від 60.12 грн до 172.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISL6208IRZ | Виробник : Renesas / Intersil | Gate Drivers VER OF ISL6608IR -40 TO +100 |
на замовлення 4849 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ISL6208IRZ | Виробник : RENESAS |
Description: RENESAS - ISL6208IRZ - MOSFET-Treiber, High-Side & Low-Side, 4.5V-5.5V Versorgungsspannung, 4Aout, 18ns Verzögerung, QFN-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Channels Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V Quellstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5.5V Eingabeverzögerung: 20ns Ausgabeverzögerung: 18ns Betriebstemperatur, max.: 100°C |
на замовлення 1423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
ISL6208IRZ | Виробник : Intersil |
LEAD-FREE VERSION OF ISL6608IR, -40 TO +100 ISL62 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ISL6208IRZ | Виробник : RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; MOSFET gate driver; QFN8; -2÷2A Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Number of channels: 2 Case: QFN8 Operating temperature: -40...100°C Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver Output current: -2...2A Impulse rise time: 8ns Pulse fall time: 8ns Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 4.5...5.5V DC кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
ISL6208IRZ | Виробник : RENESAS |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; MOSFET gate driver; QFN8; -2÷2A Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Number of channels: 2 Case: QFN8 Operating temperature: -40...100°C Kind of integrated circuit: MOSFET gate driver Output current: -2...2A Impulse rise time: 8ns Pulse fall time: 8ns Topology: MOSFET half-bridge Supply voltage: 4.5...5.5V DC |
товар відсутній |