KSD1616AGBU

KSD1616AGBU ON Semiconductor


ksd1616a-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 6421 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
855+13.39 грн
1424+ 8.04 грн
1652+ 6.92 грн
Мінімальне замовлення: 855
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSD1616AGBU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції KSD1616AGBU за ціною від 5.07 грн до 27.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 6421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
36+15.74 грн
46+ 12.43 грн
100+ 7.46 грн
1000+ 6.2 грн
Мінімальне замовлення: 36
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+24.02 грн
30+ 18.97 грн
Мінімальне замовлення: 24
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013296914-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - KSD1616AGBU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 750 mW, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+26.34 грн
38+ 19.98 грн
100+ 9.69 грн
500+ 7.28 грн
1000+ 5.2 грн
5000+ 5.07 грн
Мінімальне замовлення: 29
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : onsemi ksd1616a-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 1A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 750 mW
на замовлення 38522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.4 грн
15+ 19.51 грн
100+ 11.73 грн
1000+ 6.93 грн
5000+ 6.12 грн
10000+ 5.5 грн
Мінімальне замовлення: 11
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : onsemi / Fairchild KSD1616A_D-2314918.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 3378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.93 грн
14+ 22.68 грн
100+ 13.46 грн
1000+ 7.52 грн
2500+ 6.86 грн
10000+ 6.07 грн
30000+ 5.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній
KSD1616AGBU KSD1616AGBU Виробник : ON Semiconductor ksd1616a-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 1A 750mW 3-Pin TO-92 Bag
товар відсутній