PBSS8110T,215 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 100V 1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 480 mW
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.78 грн |
| 6000+ | 4.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PBSS8110T,215 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PBSS8110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PBSS8110T,215 за ціною від 4.55 грн до 27.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PBSS8110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS8110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 100V 1A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 250mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 480 mW |
на замовлення 152864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PBSS8110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 480mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 0.48W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PBSS8110T/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 35009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS8110T,215 | Виробник : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS8110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 480mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 0.48W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PBSS8110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PBSS8110T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PBSS8110T,215 | Виробник : NEXPERIA |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 480mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |