Продукція > VISHAY > SI2318CDS-T1-GE3
SI2318CDS-T1-GE3

SI2318CDS-T1-GE3 Vishay

si2318cds.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI2318CDS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції SI2318CDS-T1-GE3 за ціною від 5.55 грн до 30.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.27 грн
9000+ 6.63 грн
24000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2318cds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 102071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.68 грн
6000+ 7.09 грн
9000+ 6.38 грн
30000+ 5.9 грн
75000+ 5.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.61 грн
6000+ 7.87 грн
12000+ 7.33 грн
18000+ 6.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0010743896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 5.6 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.1W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.03 грн
9000+ 8.52 грн
24000+ 7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2245434.pdf Description: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.9 A, 0.036 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 194150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+13.03 грн
500+ 10.88 грн
1500+ 9.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2318cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+17.69 грн
30+ 11.56 грн
88+ 8.96 грн
240+ 8.47 грн
Мінімальне замовлення: 21
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY si2318cds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1713 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+21.23 грн
25+ 14.4 грн
88+ 10.75 грн
240+ 10.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
462+24.89 грн
841+ 13.68 грн
849+ 13.54 грн
859+ 12.92 грн
Мінімальне замовлення: 462
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2245434.pdf Description: VISHAY - SI2318CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.9 A, 0.036 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 194150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+26.93 грн
50+ 20.02 грн
100+ 13.03 грн
500+ 10.88 грн
1500+ 9.86 грн
Мінімальне замовлення: 28
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si2318cds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 20 V
на замовлення 102071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.78 грн
13+ 21.29 грн
100+ 12.76 грн
500+ 11.09 грн
1000+ 7.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+30.07 грн
25+ 23.11 грн
100+ 12.25 грн
250+ 11.23 грн
500+ 10.66 грн
1000+ 6.14 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si2318cds.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 182246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.96 грн
13+ 23.66 грн
100+ 10.77 грн
1000+ 8.18 грн
9000+ 6.16 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3 Виробник : Vishay si2318cds.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 5.6A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2318CDS-T1-GE3
Код товару: 148867 		si2318cds.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній