STW20NK50Z

STW20NK50Z


en.DM00052344.pdf
Код товару: 2710
Виробник: ST
Uds,V: 500 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2600/95
Монтаж: THT
у наявності 206 шт:

164 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
6 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
1 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
1+120 грн
10+ 111 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STW20NK50Z за ціною від 97.89 грн до 436.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STW20NK50Z STW20NK50Z Виробник : STMicroelectronics STW20NK50Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.6 грн
8+ 106.11 грн
10+ 105.42 грн
21+ 99.95 грн
120+ 97.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW20NK50Z STW20NK50Z Виробник : STMicroelectronics STW20NK50Z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12.6A; 190W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12.6A
Power dissipation: 190W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 938 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.98 грн
3+ 171.47 грн
8+ 127.33 грн
10+ 126.51 грн
21+ 119.94 грн
120+ 117.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NK50Z STW20NK50Z Виробник : STMicroelectronics en.DM00052344.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+248.11 грн
30+ 189.49 грн
120+ 162.42 грн
510+ 135.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
STW20NK50Z STW20NK50Z Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS35366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STW20NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.23 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STW
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 4847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+357.56 грн
10+ 250.66 грн
100+ 196.1 грн
500+ 145.13 грн
1000+ 131.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
STW20NK50Z STW20NK50Z Виробник : STMicroelectronics stw20nk50z-1852128.pdf MOSFET N-Ch 500 Volt 17 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 316-325 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+436.27 грн
25+ 341.61 грн
100+ 212.27 грн
250+ 191.24 грн
600+ 178.1 грн
STW20NK50Z Виробник : ST en.DM00052344.pdf N-MOSFET 17A 500V 190W STW20NK50Z TSTW20NK50z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+103.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
STW20NK50Z en.DM00052344.pdf
на замовлення 922 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STW20NK50Z STW20NK50Z Виробник : STMicroelectronics dm0005234.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NK50Z Виробник : STMicroelectronics dm0005234.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
STW20NK50Z STW20NK50Z Виробник : STMicroelectronics dm0005234.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній

З цим товаром купують

47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2430
EXR_080421.pdf
47uF 50V EXR 6,3x11mm (low imp.) (EXR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 3528 шт
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+2.5 грн
10+ 1.9 грн
100+ 1.6 грн
1000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
Ізоляційний ковпачок на корпус TO-3P (KLS8-0323-TO-3PCV)
Код товару: 83758
Ізоляційний ковпачок на корпус TO-3P (KLS8-0323-TO-3PCV)
Виробник: KLS
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Ізоляційний ковпачок на корпус TO-3P
Розмір: на корпус TO-3P
Матеріал: Силікон
у наявності: 991 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+5 грн
10+ 4.1 грн
100+ 3.2 грн
FEP30JP-E3/45
Код товару: 113352
fep30-datasheet.pdf
FEP30JP-E3/45
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: TO-247AD
Vrr, V: 600 V
Iav, A: 30 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 35 ns
у наявності: 57 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+82.5 грн
10+ 74.3 грн
470uF 16V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR471M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 1318
EXR_080421.pdf
470uF 16V EXR 10x12,5mm (low imp.) (EXR471M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 470 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х12,5mm
Строк життя: 5000 годин
у наявності: 5441 шт
очікується: 10000 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+4 грн
10+ 3.5 грн
100+ 3.1 грн
1000+ 2.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
1000uF 16V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR102M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2431
EXR_080421.pdf
1000uF 16V EXR 10x21mm (low imp.) (EXR102M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х21mm
Строк життя: 5000 годин
товар відсутній