Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > TPH2R306NH,L1Q
TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=13732&prodName=TPH2R306NH Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
на замовлення 4854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.46 грн
10+ 91.87 грн
100+ 73.15 грн
500+ 58.09 грн
1000+ 49.29 грн
2000+ 46.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис TPH2R306NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V.

Інші пропозиції TPH2R306NH,L1Q за ціною від 45.48 грн до 121.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
TPH2R306NH,L1Q TPH2R306NH,L1Q Виробник : Toshiba TPH2R306NH_datasheet_en_20191024-1140128.pdf MOSFET U-MOSVIII-H 60V 130A 72nC MOSFET
на замовлення 8791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.14 грн
10+ 99.76 грн
100+ 69.01 грн
500+ 57.7 грн
1000+ 46.99 грн
5000+ 46.92 грн
10000+ 45.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
TPH2R306NH,L1Q
Код товару: 149945 		docget.jsp?did=13732&prodName=TPH2R306NH Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
TPH2R306NH,L1Q TPH2R306NH,L1Q Виробник : Toshiba tph2r306nh_datasheet_en_20191024.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 130A 8-Pin SOP Advance T/R
товар відсутній
TPH2R306NH,L1Q TPH2R306NH,L1Q Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=13732&prodName=TPH2R306NH Description: MOSFET N-CH 60V 60A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
товар відсутній