YJL2301G Yangjie Technology
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 1.71 грн |
| 15000+ | 1.57 грн |
| 30000+ | 1.44 грн |
| 60000+ | 1.28 грн |
| 120000+ | 1.16 грн |
| 300000+ | 1.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJL2301G Yangjie Technology
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -15V, Drain current: -1.6A, Pulsed drain current: -8A, Power dissipation: 0.7W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 3.9nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 10 шт.
Інші пропозиції YJL2301G за ціною від 1.41 грн до 1.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| YJL2301G | Виробник : Yangjie Electronic Technology | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
YJL2301G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -15V Drain current: -1.6A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
|||||
|
|
YJL2301G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -15V Drain current: -1.6A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 0.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: SMD Gate charge: 3.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |