AM4407P-CT

AM4407P-CT Analog Power Inc.


AM4407P.pdf Виробник: Analog Power Inc.
Description: MOSFET P-CH -30V 15A SOIC-8
Packaging: Strip
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: -1V @ -250µA
Supplier Device Package: SOIC-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): -30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4441 pF @ -15 V
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.49 грн
13+ 22 грн
100+ 19.82 грн
500+ 14.47 грн
1000+ 11.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AM4407P-CT Analog Power Inc.

Description: MOSFET P-CH -30V 15A SOIC-8, Packaging: Strip, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: -1V @ -250µA, Supplier Device Package: SOIC-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): -30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4441 pF @ -15 V.