AON6560 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; 83W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Power dissipation: 83W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; 83W; DFN5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 200A
Power dissipation: 83W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 75.3 грн |
10+ | 66.4 грн |
13+ | 62.98 грн |
36+ | 58.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON6560 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 30V 84A/200A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta), 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 15 V.
Інші пропозиції AON6560 за ціною від 69.01 грн до 93.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AON6560 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200A; 83W; DFN5x6 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 200A Power dissipation: 83W Case: DFN5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 230nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 182 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
AON6560 Код товару: 172029 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
AON6560 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 200A 8-Pin DFN EP |
товар відсутній |
||||||||||||||
AON6560 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 200A 8-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
AON6560 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 84A/200A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Ta), 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.62mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 7.3W (Ta), 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 15 V |
товар відсутній |