AON6884 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 21A; 8W; DFN5x6 EP2
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 21A
Power dissipation: 8W
Case: DFN5x6 EP2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 21A; 8W; DFN5x6 EP2
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 21A
Power dissipation: 8W
Case: DFN5x6 EP2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 60.45 грн |
13+ | 28.07 грн |
25+ | 23.28 грн |
42+ | 19.17 грн |
116+ | 17.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис AON6884 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Part Status: Active.
Інші пропозиції AON6884 за ціною від 21.36 грн до 72.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AON6884 | Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 21A; 8W; DFN5x6 EP2 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 21A Power dissipation: 8W Case: DFN5x6 EP2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5705 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
AON6884 (корпус 8-DFN-EP) Код товару: 160470 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
AON6884 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 34A 8-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
AON6884 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 34A 8-Pin DFN EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||
AON6884 | Виробник : Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (5x6) Part Status: Active |
товар відсутній |