AOU4N60

AOU4N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc.


AOU4N60.pdf Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 3973 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.5 грн
10+ 49.81 грн
100+ 38.75 грн
500+ 30.83 грн
1000+ 25.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AOU4N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO251-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V.

Інші пропозиції AOU4N60

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
AOU4N60
Код товару: 161901
AOU4N60.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
AOU4N60 AOU4N60 Виробник : Alpha & Omega Semiconductor 966aoi4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 T/R
товар відсутній
AOU4N60 AOU4N60 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOU4N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
AOU4N60 AOU4N60 Виробник : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOU4N60-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.6A; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.6A
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній