APT20M45BVFRG

APT20M45BVFRG


5963-apt20m45bvfrg-datasheet
Код товару: 110452
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції APT20M45BVFRG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
APT20M45BVFRG APT20M45BVFRG Виробник : Microchip Technology apt20m45bvfrg_c.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT20M45BVFRG APT20M45BVFRG Виробник : Microchip Technology apt20m45bvfrg_c.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT20M45BVFRG APT20M45BVFRG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 5963-apt20m45bvfrg-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 224A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT20M45BVFRG APT20M45BVFRG Виробник : Microchip Technology 5963-apt20m45bvfrg-datasheet Description: MOSFET N-CH 200V 56A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4860 pF @ 25 V
товар відсутній
APT20M45BVFRG APT20M45BVFRG Виробник : Microchip Technology 5963-apt20m45bvfrg-datasheet MOSFET FREDFET MOS5 200 V 45 mOhm TO-247
товар відсутній
APT20M45BVFRG APT20M45BVFRG Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) 5963-apt20m45bvfrg-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 200V; 56A; Idm: 224A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 224A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній