BC847BWT1G ON Semiconductor
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30000+ | 0.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC847BWT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - BC847BWT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, SOT-323, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: BCxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC847BWT1G за ціною від 0.67 грн до 10.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BC847BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 231000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 26030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC847BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BWT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 26030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC847BWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 3807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BC847BWT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC847BWT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 150 mW, 100 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 10270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
| BC847BWT1G | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,15; Uceo, В = 45; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 200 @ 2 мA, 5 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.6 @ 5 мA, 100 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-323 |
на замовлення 779 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
 |
BC847BWT1G Код товару: 93935 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||||||
|
|
BC847BWT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 45V 0.1A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW |
товар відсутній |