BC848CLT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC848CLT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC848CLT1G за ціною від 0.73 грн до 8.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BC848CLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 13977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 6740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 6740 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100MHz, 300mW, 100mA, 100hFE tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 34046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 13977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 7275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN |
на замовлення 48655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100MHz, 300mW, 100mA, 100hFE tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 34046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : ON-Semicoductor |
NPN 100mA 30V 225mW 100MHz BC848CLT1G BC848CE6327HTSA1 BC848CE6433HTMA1 BC848C RF BC848CMTF BC848C-7-F BC84 BC848C smd TBC848c кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 8930 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : ONS | Транз. Бипол. ММ NPN SOT23 Uceo=30V; Ic=0,1A; f=100MHz; Pdmax=0,25W; hfe=420/800 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848CLT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1507339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : On Semiconductor | SOT-23-3 (BCW33) |
на замовлення 382 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
BC848CLT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
BC848CLT1G (транзистор біполярный NPN) Код товару: 42470 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|