BCR 112 E6327 Infineon Technologies


Infineon-BCR112SERIES-DS-v01_01-en-514451.pdf Виробник: Infineon Technologies
Digital Transistors NPN Silicon Digital TRANSISTOR
на замовлення 52557 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.69 грн
18+ 17.23 грн
100+ 9.46 грн
1000+ 4.27 грн
3000+ 2.43 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BCR 112 E6327 Infineon Technologies

Category: NPN SMD transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ, Type of transistor: NPN, Polarisation: bipolar, Kind of transistor: BRT, Collector-emitter voltage: 50V, Collector current: 0.1A, Power dissipation: 0.2W, Case: SOT23, Mounting: SMD, Frequency: 140MHz, Base resistor: 4.7kΩ, Base-emitter resistor: 4.7kΩ.

Інші пропозиції BCR 112 E6327

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BCR112ЎЎE6327
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BCR112-E6327 Виробник : Infineon
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BCR112E6327
Код товару: 112172
Транзистори > Біполярні NPN
товар відсутній
BCR112E6327 BCR112E6327 Виробник : Infineon Technologies bcr112series.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
BCR112E6327 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BCR112.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 140MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
товар відсутній