Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > BSC022N04LSATMA1
BSC022N04LSATMA1

BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies

BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+38.68 грн
10000+ 35.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSC022N04LSATMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 69W, Bauform - Transistor: TDSON, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: OptiMOS 5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSC022N04LSATMA1 за ціною від 33.92 грн до 105.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+46.73 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.57 грн
250+ 56.47 грн
1000+ 41.07 грн
3000+ 35.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
136+86.01 грн
137+ 85.21 грн
171+ 68.12 грн
250+ 65.07 грн
500+ 51.86 грн
1000+ 36.53 грн
Мінімальне замовлення: 136
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON INFN-S-A0002263114-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC022N04LSATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0018 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+89.94 грн
50+ 66.57 грн
250+ 56.47 грн
1000+ 41.07 грн
3000+ 35.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 2726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+95.34 грн
10+ 79.86 грн
25+ 79.13 грн
100+ 61 грн
250+ 55.95 грн
500+ 46.23 грн
1000+ 33.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Description: MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 20 V
на замовлення 17405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+98.82 грн
10+ 77.36 грн
100+ 60.17 грн
500+ 47.87 грн
1000+ 38.99 грн
2000+ 36.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
118+98.96 грн
126+ 92.65 грн
148+ 78.97 грн
200+ 72.6 грн
500+ 62.02 грн
1000+ 50.06 грн
2000+ 48.65 грн
Мінімальне замовлення: 118
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSC022N04LS_DataSheet_v02_03_EN-3360624.pdf MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 7030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.81 грн
10+ 85.4 грн
100+ 58.1 грн
500+ 49.29 грн
1000+ 40.15 грн
2500+ 37.79 грн
5000+ 36.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC022N04LSATMA1
Код товару: 131683 		BSC022N04LS_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30433e82b1cf013e8454ca6c03c9 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsc022n04ls-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC022N04LS-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
BSC022N04LSATMA1 BSC022N04LSATMA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSC022N04LS-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній