на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSH205G2R NEXPERIA
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції BSH205G2R за ціною від 3.95 грн до 36.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 159000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSH205G2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSH205G2R | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 890mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.2A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.89W Polarisation: unipolar Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V |
на замовлення 5016 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 890mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.2A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.89W Polarisation: unipolar Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5016 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSH205G2R | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH205G2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.12 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage Verlustleistung: 480 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 9555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 480mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 418 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 89628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
BSH205G2R | Виробник : Nexperia |
MOSFET BSH205G2/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 33641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
BSH205G2R | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSH205G2R - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.12 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 2 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: - Verlustleistung Pd: 480 Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 700 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
BSH205G2R Код товару: 143365 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|