BSL308PEH6327XTSA1

BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies


Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+16.98 грн
6000+ 15.49 грн
9000+ 14.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSL308PEH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA, Supplier Device Package: PG-TSOP6-6, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції BSL308PEH6327XTSA1 за ціною від 13.79 грн до 57.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+31.08 грн
25+ 25.97 грн
43+ 18.9 грн
116+ 17.86 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+32.63 грн
500+ 24.53 грн
1000+ 18.08 грн
3000+ 16.05 грн
6000+ 15.73 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSL308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-TSOP-6
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.29 грн
25+ 32.37 грн
43+ 22.67 грн
116+ 21.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 11µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+44.95 грн
10+ 37.31 грн
100+ 25.82 грн
500+ 20.25 грн
1000+ 17.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSL308PE_DS_v02_03_en-3160633.pdf MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 31546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.17 грн
10+ 40.58 грн
100+ 27.44 грн
500+ 22.36 грн
1000+ 17.88 грн
3000+ 13.92 грн
9000+ 13.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : INFINEON Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Description: INFINEON - BSL308PEH6327XTSA1 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 2 A, 2 A, 0.062 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.062ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.062ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+57.35 грн
16+ 46.84 грн
100+ 32.63 грн
500+ 24.53 грн
1000+ 18.08 грн
3000+ 16.05 грн
6000+ 15.73 грн
Мінімальне замовлення: 13
BSL308PEH6327XTSA1
Код товару: 163576
Infineon-BSL308PE-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a30431d8a6b3c011d8ff3592c03d0 Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
BSL308PEH6327XTSA1 BSL308PEH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies 4034bsl308pe_rev2.03.pdffolderiddb3a304314dca38901154a72e3951a65filei.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товар відсутній