BSP318SH6327XTSA1

BSP318SH6327XTSA1 Infineon Technologies


BSP318S.pdf Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+24.83 грн
2000+ 22.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSP318SH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Supplier Device Package: PG-SOT223-4, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V.

Інші пропозиції BSP318SH6327XTSA1 за ціною від 17.67 грн до 67.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 9577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+37.56 грн
500+ 29.63 грн
1000+ 22.25 грн
5000+ 21.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSP318S.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
на замовлення 3013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.94 грн
10+ 44.55 грн
100+ 34.63 грн
500+ 27.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSP318S_DS_v02_04_en-1226297.pdf MOSFET N-Ch 60V 2.6A SOT-223-3
на замовлення 126191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.18 грн
10+ 51.01 грн
100+ 34.54 грн
500+ 29.24 грн
1000+ 23.14 грн
2000+ 21.68 грн
5000+ 21.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp318s_rev2.4._.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
181+63.61 грн
212+ 54.23 грн
Мінімальне замовлення: 181
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS19470-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSP318SH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.6 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -888
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -999
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 9577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+67.24 грн
15+ 52.73 грн
100+ 37.56 грн
500+ 29.63 грн
1000+ 22.25 грн
5000+ 21.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp318s_rev2.4._.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies BSP318S.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,6 А; Ptot, Вт = 1,8; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 380 @ 25; Qg, нКл = 20 @ 10 В; Rds = 90 мОм @ 2,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА; SOT-223
на замовлення 307 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+20.39 грн
33+ 19.03 грн
100+ 17.67 грн
Мінімальне замовлення: 31
BSP318SH6327XTSA1
Код товару: 144529
BSP318S.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp318s_rev2.4._.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
BSP318SH6327XTSA1 BSP318SH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies bsp318s_rev2.4._.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній