BSP75N DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 78.15 грн |
| 200+ | 71.88 грн |
| 500+ | 65.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSP75N DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції BSP75N за ціною від 31.92 грн до 137.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BSP75N | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSP75N - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 0.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| BSP75N | Виробник : Infineon | ИМС SOT-223 Low Side Switch Power |
на замовлення 300 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
BSP75N Код товару: 24969 |
Виробник : Infineon |
Мікросхеми > Ключі інтелектуальні, мультиплексори аналогові Корпус: SOT-223 Функціональний опис: Power Distribution Smart Low Side 1 Ch Напр.живлення: 60 V Темп.діапазон: -40...+150°C Примітка: Infineon_BSP75N-191426 |
товар відсутній
|
|||||||||||||
 |
BSP75N | Виробник : Infineon Technologies |
Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100 |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
BSP75N | Виробник : Infineon Technologies |
Current Limit SW 1-IN 1-OUT -0.2V to 10V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Automotive AEC-Q100 |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
BSP75N | Виробник : Infineon Technologies |
Power Switch ICs - Power Distribution Smart Low Side 1 Ch 60 V 1.8 W |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
BSP75N | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Power switches - integrated circuits Description: IC: power switch; low-side; 700mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223 Type of integrated circuit: power switch Kind of integrated circuit: low-side Output current: 0.7A Number of channels: 1 Kind of output: N-Channel Mounting: SMD Case: SOT223 On-state resistance: 0.5Ω Technology: HITFET® Power dissipation: 1.8W |
товар відсутній |