BSR316PH6327XTSA1

BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies


infineon-bsr316p-datasheet-v02_00-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BSR316PH6327XTSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 360mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BSR316PH6327XTSA1 за ціною від 10.29 грн до 40.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 51
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
939+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 939
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410 Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.48 грн
6000+ 11.41 грн
9000+ 10.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 64948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+23.23 грн
500+ 13.74 грн
1500+ 12.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSR316PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+31.6 грн
25+ 19.99 грн
60+ 13.23 грн
165+ 12.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies infineon-bsr316p-datasheet-v02_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.36A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
334+34.32 грн
365+ 31.4 грн
367+ 31.21 грн
500+ 24.56 грн
1000+ 21.27 грн
Мінімальне замовлення: 334
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON INFNS17502-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSR316PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 360 mA, 1.3 ohm, SC-59, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 360mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SC-59
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 64948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+37.07 грн
50+ 30.19 грн
100+ 23.23 грн
500+ 13.74 грн
1500+ 12.43 грн
Мінімальне замовлення: 20
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410 Description: MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 360mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 170µA
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
на замовлення 14367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.1 грн
10+ 30.44 грн
100+ 21.19 грн
500+ 15.53 грн
1000+ 12.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES BSR316PH6327XTSA1.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.29A; 0.5W; SC59
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -290mA
On-state resistance: 2.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SC59
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.91 грн
25+ 24.92 грн
60+ 15.87 грн
165+ 15.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR316PH6327XTSA1 BSR316PH6327XTSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_BSR316P_DataSheet_v02_01_EN-3360923.pdf MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
на замовлення 162779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.79 грн
10+ 34.21 грн
100+ 20.71 грн
500+ 16.23 грн
1000+ 13.19 грн
3000+ 11.08 грн
9000+ 10.29 грн
Мінімальне замовлення: 8
BSR316PH6327XTSA1
Код товару: 141413
Infineon-BSR316P-DS-v01_07-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42ae2bb4410 Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній