у наявності 1644 шт:
1320 шт - склад
94 шт - РАДІОМАГ-Київ
90 шт - РАДІОМАГ-Харків
140 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 2.5 грн |
10+ | 2.1 грн |
100+ | 1.8 грн |
1000+ | 1.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції BSS84 за ціною від 0.63 грн до 33.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS84 | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 684000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 13821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : MDD |
Description: MOSFET SOT-23 P Channel 50V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
на замовлення 240000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 162000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 684000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 684000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : EVVO |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : Good-Ark Semiconductor |
Description: MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.13A, -5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
на замовлення 704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 91958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Description: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 30 V |
на замовлення 3422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.36W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1496 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 13821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 1.2 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 91958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 73 pF @ 25 V |
на замовлення 162552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET SOT-23 P-CH ENHANCE |
на замовлення 235241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : MLCCBASE |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 MLCCBASE TBSS84 MLC кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : YY |
P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; BSS84 TBSS84 YY кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 JSMICRO TBSS84 JSM кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : SHIKUES |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SHIKUES TBSS84 SHK кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : HXY MOSFET |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 HXY MOSFET TBSS84 HXY кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : HOTTECH |
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; BSS84 TBSS84 c кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : GALAXY |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 GALAXY TBSS84 GAL кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : AnBon |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 216 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : AnBon |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84P TBSS84p ANB кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1684 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : HT Jinyu Semiconductor | P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : Microdiode Electronics | BSS84 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor | P-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 130 мА; Ptot, Вт = 0,36; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 73 @ 25; Qg, нКл = 1,3 @ 5 В; Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2 В @ 1 мА; SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : NXP |
Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84,215 TBSS84 NXP кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS84-TP MCCSEMI; BSS84LT1G BSS84 ONS TBSS84 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ON-Semicoductor |
Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-23 BSS84-TP MCCSEMI; BSS84LT1G BSS84 ONS TBSS84 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1929 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : SLKOR | Transistor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP; BSS84 SLKOR TBSS84 SLK |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : EVVO |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : Taiwan Semiconductor | MOSFET -60V, -0.15A, Single P-Channel Small-signal MOSFETs |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : Nexperia | MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
BSS84 | Виробник : Good-Ark | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
BSS84 Код товару: 10019 |
Виробник : ON/ JCST |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Rds(on),Om: 10 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 40/ - Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
З цим товаром купують
2N7002 (Hottech, SOT-23-3) Код товару: 47271 |
Виробник: Hottech
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 2,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
Монтаж: SMD
у наявності: 1109 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 1.2 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.7 грн |
LTV817S-TA1 [C] Код товару: 31279 |
Виробник: Lite-On
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SMD-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 4/3 µs
Роб.темп.,°С: -30…+110°C
у наявності: 2777 шт
очікується:
10000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6 грн |
10+ | 5.4 грн |
100+ | 4.9 грн |
1000+ | 4.4 грн |
100nF 50V X7R 10% 0805 (CC0805KRX7R9BB104 – Yageo) Код товару: 60735 |
Виробник: Yageo
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 100 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0805
у наявності: 80479 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 1 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.7 грн |
BSS138 Код товару: 144172 |
Виробник: YJ
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 3,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/-
Монтаж: SMD
товар відсутній
BAV99 Код товару: 177783 |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOT-23
Uзвор., V: 75 V
Iвипр., A: 0,215 A
Опис: Швидкий 75V 2x0,215
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SOT-23
Uзвор., V: 75 V
Iвипр., A: 0,215 A
Опис: Швидкий 75V 2x0,215
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,25 V
у наявності: 8972 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.1 грн |
100+ | 0.8 грн |
1000+ | 0.6 грн |