на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BSS84LT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V, Power Dissipation (Max): 225mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V.
Можливі заміни BSS84LT1G ON Semiconductor
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ) Код товару: 188580 |
Виробник : JSCJ |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Rds(on),Om: 4,7 Ohm Монтаж: SMD |
у наявності: 1840 шт
|
|
Інші пропозиції BSS84LT1G за ціною від 2.4 грн до 29.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 13394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : onsemi | MOSFET 50V 130mA P-Channel |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 13394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor | P-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 130 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 30 @ 5; Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 0,225 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 |
на замовлення 662 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : ONS | Транзистор полевой SOT-23 P-MOSFET Vdss=50V, Id=0,13A, Rds=10 Ohm @ 100mA, 5V |
на замовлення 7717 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSS84LT1G (SOT-23, ON) Код товару: 160080 |
Виробник : ON |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Uds,V: 50 V Id,A: 0,13 A Rds(on),Om: 4,7 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 36/ |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
BSS84LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |