Технічний опис BUZ30A INF
Description: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BUZ30A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| BUZ30A | Виробник : Infineon |
 |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| BUZ30A | Виробник : INFINEON |
09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
BUZ30A Код товару: 42596 |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||
 |
BUZ30A | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
|
 |
BUZ30A | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
BUZ30A | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 200V 21A TO220-3 |
товар відсутній |