на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 180.18 грн |
| 10+ | 160.22 грн |
| 100+ | 111.72 грн |
| 250+ | 95.29 грн |
| 500+ | 79.52 грн |
| 1000+ | 67.69 грн |
| 2000+ | 64.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BUZ30A H3045A Infineon Technologies
Description: BUZ30 - 12V-300V N-CHANNEL POWER, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції BUZ30A H3045A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
BUZ30AH3045A Код товару: 56077 |
Виробник : Infineon |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-263-3 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||
| BUZ30AH3045A | Виробник : Infineon Technologies |
Description: BUZ30 - 12V-300V N-CHANNEL POWER Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||
| BUZ30A H3045A | Виробник : Infineon Technologies |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
товар відсутній |