BYG23M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Avalanche
Current - Average Rectified (Io): 1.5A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 388800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 6.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BYG23M-E3/TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - BYG23M-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Durchbruch, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: BYG23, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції BYG23M-E3/TR за ціною від 5.44 грн до 34.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BYG23M-E3/TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 309600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 309600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 122400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 122400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 12600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 12600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 13015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 1720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 3520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.35V Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Case: DO214AC; SMA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Max. forward voltage: 1.35V Reverse recovery time: 75ns Leakage current: 50µA Type of diode: rectifying |
на замовлення 3107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG23M-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Durchbruch, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG23 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 19428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1.5A; 75ns; DO214AC,SMA; Ufmax: 1.35V Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1.5A Case: DO214AC; SMA Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect; fast switching; glass passivated Max. forward voltage: 1.35V Reverse recovery time: 75ns Leakage current: 50µA Type of diode: rectifying кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3107 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 1.5A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 389818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 4019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 4019 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : Vishay General Semiconductor | Rectifiers RECOMMENDED ALT BYG23M-E3/TR3 |
на замовлення 63395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - BYG23M-E3/TR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Durchbruch, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: BYG23 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 19645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR Код товару: 51448 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
BYG23M-E3/TR | Виробник : Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1.5A 75ns 2-Pin SMA T/R |
товар відсутній |