на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 4740.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис C2M0025120D Wolfspeed
Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V, Power Dissipation (Max): 463W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції C2M0025120D за ціною від 4978.76 грн до 6993.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
C2M0025120D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
 Description: SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 50A, 20V Power Dissipation (Max): 463W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2788 pF @ 1000 V |
на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C2M0025120D | Виробник : WOLFSPEED |
Description: WOLFSPEED - C2M0025120D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 463W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
на замовлення 418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C2M0025120D | Виробник : Wolfspeed |
MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 25 mOhm |
на замовлення 306 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
C2M0025120D Код товару: 117277 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||
 |
C2M0025120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; 463W; TO247-3; 45ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 90A Power dissipation: 463W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 45ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
C2M0025120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; 463W; TO247-3; 45ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 90A Power dissipation: 463W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 25mΩ Mounting: THT Gate charge: 161nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 45ns |
товар відсутній |