DMN6070SFCL-7

DMN6070SFCL-7 Diodes Incorporated


DMN6070SFCL.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 5575 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.39 грн
11+ 26.11 грн
100+ 19.47 грн
500+ 14.36 грн
1000+ 11.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN6070SFCL-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-PowerUFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 600mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V.

Інші пропозиції DMN6070SFCL-7 за ціною від 8.9 грн до 32.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMN6070SFCL-7 DMN6070SFCL-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN6070SFCL.pdf MOSFET N-Ch 31V to 99V 60V 120mOhm 606pF
на замовлення 2755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.24 грн
12+ 26.93 грн
100+ 16.29 грн
500+ 12.73 грн
1000+ 10.36 грн
3000+ 8.9 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN6070SFCL-7 DMN6070SFCL-7 Виробник : Diodes Incorporated DMN6070SFCL.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: X1-DFN1616-6 (Type E)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN6070SFCL-7
Код товару: 143691
DMN6070SFCL.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DMN6070SFCL-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN6070SFCL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 10A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.8W
Case: X1-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DMN6070SFCL-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMN6070SFCL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.5A; Idm: 10A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.8W
Case: X1-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній