на замовлення 22520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 17.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMP6050SSD-13 Diodes Inc
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active.
Інші пропозиції DMP6050SSD-13 за ціною від 16.41 грн до 207.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMP6050SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP6050SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs |
на замовлення 18296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP6050SSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 4.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1293pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active |
на замовлення 192686 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP6050SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.9A; Idm: -32A; 1.2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.9A Pulsed drain current: -32A Power dissipation: 1.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP6050SSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -3.9A; Idm: -32A; 1.2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3.9A Pulsed drain current: -32A Power dissipation: 1.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 55mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 630 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP6050SSD-13 | Виробник : Diodes INC. | 2P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 4,8 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1293 @ 30; Qg, нКл = 24 @ 10 В; Rds = 55 мОм @ 5 A, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; Р, Вт = 1,2; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMP6050SSD-13 Код товару: 143724 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|