DN2540N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 52.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN2540N8-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - DN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Verarmungstyp, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 17 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm.
Інші пропозиції DN2540N8-G за ціною від 49.07 грн до 132.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DN2540N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Verarmungstyp, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 17 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm |
на замовлення 5823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 16380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Verarmungstyp, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 17 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm |
на замовлення 5823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 400V 25Ohm |
на замовлення 35179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 170mA; Idm: 0.5A; 1.6W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.17A On-state resistance: 25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Mounting: SMD Case: SOT89-3 |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 170mA; Idm: 0.5A; 1.6W Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 400V Drain current: 0.17A On-state resistance: 25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Mounting: SMD Case: SOT89-3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 408 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G Код товару: 153995 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
DN2540N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DN2540N8-G | Виробник : Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |