DN3545N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 34000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 49.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN3545N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DN3545N8-G за ціною від 45.87 грн до 79.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DN3545N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm |
на замовлення 6353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3545N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 450V 200MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 34791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3545N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3545N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3545N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 450 V, 200 mA, 20 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 450V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 20ohm |
на замовлення 6353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3545N8-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET 450V 20Ohm |
на замовлення 18015 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3545N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3545N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DN3545N8-G Код товару: 176174 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
|
|
DN3545N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DN3545N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
DN3545N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 450V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
DN3545N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Pulsed drain current: 0.2A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DN3545N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 450V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 450V Pulsed drain current: 0.2A Power dissipation: 1.6W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted |
товар відсутній |