DSA1-12D IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 2.3A; tube; Ifsm: 110A; FP-Case
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: FP-Case
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.34V
Load current: 2.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 2.3A; tube; Ifsm: 110A; FP-Case
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect
Case: FP-Case
Max. off-state voltage: 1.2kV
Max. forward voltage: 1.34V
Load current: 2.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 110A
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 328.07 грн |
4+ | 207.43 грн |
11+ | 196.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSA1-12D IXYS
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 2.3A; tube; Ifsm: 110A; FP-Case, Kind of package: tube, Mounting: THT, Type of diode: rectifying, Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect, Case: FP-Case, Max. off-state voltage: 1.2kV, Max. forward voltage: 1.34V, Load current: 2.3A, Semiconductor structure: single diode, Max. forward impulse current: 110A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DSA1-12D за ціною від 230.02 грн до 393.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DSA1-12D | Виробник : IXYS | Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amps 1200V |
на замовлення 290 шт: термін постачання 280-289 дні (днів) |
|
|||||||||||
DSA1-12D | Виробник : IXYS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 2.3A; tube; Ifsm: 110A; FP-Case Kind of package: tube Mounting: THT Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: avalanche breakdown effect Case: FP-Case Max. off-state voltage: 1.2kV Max. forward voltage: 1.34V Load current: 2.3A Semiconductor structure: single diode Max. forward impulse current: 110A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||
DSA1-12D Код товару: 123036 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні |
товар відсутній
|
|||||||||||||
DSA1-12D | Виробник : Littelfuse | Rectifier Diode Avalanche Diode 1.2KV 2.3A 2-Pin DS1 |
товар відсутній |
||||||||||||
DSA1-12D | Виробник : IXYS |
Description: DIODE AVALANCHE 1.2KV 2.3A Packaging: Box Package / Case: Radial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 2.3A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.34 V @ 7 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 µA @ 1200 V |
товар відсутній |