Продукція > EPC > EPC2012C
EPC2012C

EPC2012C


EPC2012C_datasheet.pdf Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+86.73 грн
5000+ 80.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EPC2012C EPC

Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: Die, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, Vgs (Max): +6V, -4V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100.

Інші пропозиції EPC2012C за ціною від 82.51 грн до 192.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EPC2012C EPC2012C Виробник : EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 16121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.65 грн
10+ 153.84 грн
100+ 122.46 грн
500+ 97.24 грн
1000+ 82.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
EPC2012C
Код товару: 179459
EPC2012C_datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній